• info@matltech.com
  • E2-1-1011 Global Center, No.1700 Tianfu Avenue North, Chengdu 610041, Kina.
English
wmk_product_02
Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2 Featured Image
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2

Kadmiumarsenid Cd3As2|GaAs InAs Nb3As2

Beskrivning

Kadmiumarsenid Cd3As25N 99,999 %,mörkgrå färg, med densitet 6,211g/cm3, smältpunkt 721°C, molekyl 487.04, CAS12006-15-4, löslig i salpetersyra HNO3 och stabilitet i luft, är ett syntetiserat sammansatt material av högrent kadmium och arsenik.Kadmiumarsenid är en oorganisk halvmetall i II-V-familjen och uppvisar Nernst-effekten.Kadmiumarsenidkristall odlad med Bridgmans tillväxtmetod, icke-skiktad bulk Dirac-halvmetallstruktur, är en degenererad N-typ II-V-halvledare eller en halvledare med smala gap med hög bärarrörlighet, låg effektiv massa och en mycket icke-parabolisk ledning band.Kadmiumarsenid Cd3As2 eller CdAs är ett kristallint fast ämne och finner mer och mer tillämpning i en halvledare och i fotooptiska fält såsom i infraröda detektorer som använder Nernst-effekten, i tunnfilms dynamiska trycksensorer, laser, lysdioder LED, kvantpunkter, för att tillverka magnetoresistorer och i fotodetektorer.Arsenidföreningar av Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs och Niobium Arsenide NbAs eller Nb5As3hitta fler tillämpningar som elektrolytmaterial, halvledarmaterial, QLED-display, IC-fält och andra materialfält.

Leverans

Kadmiumarsenid Cd3As2och Gallium Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs och Niobium Arsenide NbAs eller Nb5As3på Western Minmetals (SC) Corporation med 99,99% 4N och 99,999% 5N renhet är i storleken på polykristallint mikropulver -60mesh, -80mesh, nanopartikel, klump 1-20mm, granulat 1-6mm, chunk, blank, bulkkristall etc och enkristall ., eller som skräddarsydd specifikation för att nå den perfekta lösningen.


Detaljer

Taggar

Teknisk specifikation

Arsenidföreningar

Arsenidföreningar hänvisar huvudsakligen till metallelementen och metalloidföreningar, som har stökiometrisk sammansättning som förändras inom ett visst intervall för att bilda en föreningsbaserad fast lösning.Intermetallisk förening har sina utmärkta egenskaper mellan metall och keram, och blir en viktig gren av de nya strukturella materialen.Förutom Gallium Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs och Niobium Arsenide NbAs eller Nb5As3kan också syntetiseras i form av pulver, granulat, klump, stång, kristall och substrat.

Kadmiumarsenid Cd3As2och Gallium Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs och Niobium Arsenide NbAs eller Nb5As3på Western Minmetals (SC) Corporation med 99,99% 4N och 99,999% 5N renhet är i storleken på polykristallint mikropulver -60mesh, -80mesh, nanopartikel, klump 1-20mm, granulat 1-6mm, chunk, blank, bulkkristall etc och enkristall ., eller som skräddarsydd specifikation för att nå den perfekta lösningen.

CM-W2

GaAs-W3

Nej.

Artikel

Standardspecifikation

Renhet

Orenhet PPM Max vardera

Storlek

1

KadmiumarsenidCd3As2

5N

 Ag/Cu/Ca/Mg/Sn/Fe/Cr/Bi 0,5, Ni/S 0,2, Zn/Pb 1,0

-60mesh -80mesh pulver, 1-20mm klump, 1-6mm granulat

2

Galliumarsenid GaAs

5N 6N 7N

 GaAs-sammansättning är tillgänglig på begäran

3

Niobiumarsenid NbAs

3N5

 NbAs-sammansättning är tillgänglig på begäran

4

Indium Arsenide InAs

5N 6N

 InAs-komposition finns tillgänglig på begäran

5

Förpackning

500g eller 1000g i polyetenflaska eller kompositpåse, kartong utanför

Galliumarsenid

GaAs

Gallium Arsenide GaAs, ett III–V sammansatt direktgap halvledarmaterial med en zinkblandningskristallstruktur, syntetiseras av högrena gallium- och arsenikelement, och kan skivas och tillverkas till oblat och ämne från enkristallint göt odlat med Vertical Gradient Freeze-metoden (VGF) .Tack vare dess mättande hallmobilitet och höga effekt- och temperaturstabilitet uppnår de RF-komponenter, mikrovågs-IC:er och LED-enheter som tillverkas av det alla fantastiska prestanda i sina högfrekventa kommunikationsscener.Samtidigt gör dess UV-ljusöverföringseffektivitet också att det är ett beprövat grundmaterial inom solcellsindustrin.Gallium Arsenide GaAs wafer från Western Minmetals (SC) Corporation kan levereras upp till 6" eller 150 mm i diameter med 6N 7N renhet, och Gallium Arsenide mekanisk kvalitet substrat är också tillgängliga. Under tiden, Gallium Arsenide polykristallin stång, klump och granulat etc med renhet av 99,999% 5N, 99,9999% 6N, 99,99999% 7N från Western Minmetals (SC) Corporation finns också tillgängliga eller som anpassade specifikationer på begäran.

Indiumarsenid

InAs

Indium Arsenide InAs, en direkt-band-gap-halvledare som kristalliserar i zink-blandningsstrukturen, sammansatt av indium- och arsenikelement med hög renhet, odlad med Liquid Encapsulated Czochralski (LEC)-metoden, kan skivas in i och tillverkas till wafer från enkristallint göt.På grund av den låga dislokationsdensiteten men konstant gitter är InAs ett idealiskt substrat för att ytterligare stödja de heterogena InAsSb-, InAsPSb- och InNAsSb-strukturerna eller AlGaSb-supergitterstrukturen.Därför spelar den en viktig roll vid tillverkning av 2-14 μm vågområde för infraröda emitterande enheter.Dessutom gör InAs suveräna hallrörlighet men det smala energibandgapet det också att bli det fantastiska substratet för tillverkning av hallkomponenter eller andra laser- och strålningsenheter.Indium Arsenide InAs hos Western Minmetals (SC) Corporation med en renhet på 99,99% 4N, 99,999% 5N, 99,9999% 6N kan levereras i substrat med 2" 3" 4" i diameter. Samtidigt kan Indium Arsenide polykristallina klumpar (SC vid Western Minmetals) ) Corporation finns också tillgängligt eller som anpassad specifikation på begäran.

Niobiumarsenid

NbAs-2

Niob Arsenid Nb5As3 or NbAs,benvitt eller grått kristallint fast ämne, CAS-nr 12255-08-2, formelvikt 653.327 Nb5As3och 167.828 NbAs, är en binär förening av niob och arsenik med sammansättningen NbAs,Nb5As3, NbAs4 ...etc syntetiserade med CVD-metoden, dessa fasta salter har mycket höga gitterenergier och är giftiga på grund av arsenikens inneboende toxicitet.Termisk analys vid hög temperatur visar att NdAs uppvisade arsenikförångning vid upphettning. Niobium Arsenide, en Weyl-halvmetall, är en typ av halvledare och fotoelektriskt material i applikationer för halvledare, fotooptik, laserljusemitterande dioder, kvantpunkter, optiska och trycksensorer, som mellanprodukter, och för att tillverka supraledare etc. Niobium Arsenide Nb5As3eller NbAs hos Western Minmetals (SC) Corporation med en renhet på 99,99 % 4N kan levereras i form av pulver, granulat, klump, mål- och bulkkristall etc. eller som skräddarsydd specifikation, som bör förvaras i en väl tillsluten, ljusbeständig , torr och sval plats.

Upphandlingstips

  • Prov tillgängligt på begäran
  • Säker leverans av varor med bud/flyg/sjö
  • COA/COC Kvalitetsledning
  • Säker och bekväm packning
  • FN-standardförpackning tillgänglig på begäran
  • ISO9001:2015 certifierad
  • CPT/CIP/FOB/CFR-villkor enligt Incoterms 2010
  • Flexibla betalningsvillkor T/TD/PL/C godtagbara
  • Fulldimensionella eftermarknadstjänster
  • Kvalitetsinspektion av den senaste anläggningen
  • Godkännande av Rohs/REACH-föreskrifter
  • Sekretessavtal NDA
  • Icke-konflikt mineralpolicy
  • Regelbunden miljöledningsgranskning
  • Uppfyllelse av socialt ansvar

Cd2As3 Nb2As3GaAs InAs

  • Tidigare:
  • Nästa:

    • Relaterade produkter

    Tryck på Enter för att söka eller Esc för att stänga
    QR-kod