CZ Silicon Wafer

Beskrivning

CZ Single Crystal Silicon Wafer är skivad från enkristallkiselgöt som dras med Czochralski CZ-tillväxtmetoden, som används mest för kiselkristalltillväxt av stora cylindriska göt som används inom elektronikindustrin för att tillverka halvledarenheter.I denna process införs ett smalt frö av kristallkisel med exakta orienteringstoleranser i det smälta badet av kisel vars temperatur är noggrant kontrollerad.Frökristallen dras långsamt uppåt från smältan med en mycket kontrollerad hastighet, den kristallina stelningen av atomer från en flytande fas sker vid en gränsyta, frökristallen och degeln roteras i motsatta riktningar under denna uttagsprocess, vilket skapar en stor singel kristallkisel med fröets perfekta kristallina struktur.

Tack vare det magnetiska fältet som appliceras på standard CZ götdragning, har magnetfältsinducerat Czochralski MCZ enkristallkisel en jämförelsevis lägre föroreningskoncentration, lägre syrenivå och dislokation, och jämn resistivitetsvariation som fungerar bra i högteknologiska elektroniska komponenter och enheter tillverkning i elektroniska eller solcellsindustrier.

Leverans

CZ eller MCZ Single Crystal Silicon Wafer n-typ och p-typ ledningsförmåga hos Western Minmetals (SC) Corporation kan levereras i storlekarna 2, 3, 4, 6, 8 och 12 tum i diameter (50, 75, 100, 125, 150, 200 och 300 mm), orientering <100>, <110>, <111> med ytfinish av lappad, etsad och polerad i förpackning av skumlåda eller kassett med kartong utanför.

Fråga nu

Detaljer

Taggar

Teknisk specifikation

CZ Silicon Wafer

CZ Single Crystal Silicon Wafer är grundmaterialet i produktionen av integrerade kretsar, dioder, transistorer, diskreta komponenter, som används i alla typer av elektronisk utrustning och halvledarenheter, såväl som substrat vid epitaxiell bearbetning, SOI-wafersubstrat eller halvisolerande sammansatta wafertillverkning, särskilt stora diameter på 200 mm, 250 mm och 300 mm är optimala för tillverkning av ultrahögt integrerade enheter.Single Crystal Silicon används också för solceller i stora mängder av solcellsindustrin, vilken nästan perfekt kristallstruktur ger den högsta ljus-till-el-konverteringseffektiviteten.

Nej.	Föremål	Standardspecifikation
1	Storlek	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Diameter mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	150±0,5	200±0,5	300±0,5
3	Ledningsförmåga	P eller N eller odopad
4	Orientering	<100>, <110>, <111>
5	Tjocklek μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 eller efter behov
6	Resistivitet Ω-cm	≤0,005, 0,005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 osv
7	RRV max	8 %, 10 %, 12 %
8	Primär Platt/Längd mm	Som SEMI-standard eller efter behov
9	Sekundär Platt/Längd mm	Som SEMI-standard eller efter behov
10	TTV μm max	10	10	10	10	10	10
11	Bow & Warp μm max	30	30	30	30	30	30
12	Ytfinish	As-cut, L/L, P/E, P/P
13	Förpackning	Skumlåda eller kassett inuti, kartong utanför.

Symbol	Si
Atomnummer	14
Atomvikt	28.09
Elementkategori	Metalloid
Grupp, Period, Block	14, 3, sid
Kristallstruktur	Diamant
Färg	Mörkgrå
Smältpunkt	1414°C, 1687,15 K
Kokpunkt	3265°C, 3538,15 K
Densitet vid 300K	2,329 g/cm³
Inre resistivitet	3,2E5 Ω-cm
CAS-nummer	7440-21-3
EG-nummer	231-130-8

CZ eller MCZ Single Crystal Silicon WaferKonduktivitet av n-typ och p-typ hos Western Minmetals (SC) Corporation kan levereras i storlekarna 2, 3, 4, 6, 8 och 12 tum i diameter (50, 75, 100, 125, 150, 200 och 300 mm), orientering <100>, <110>, <111> med ytfinish som skuren, lappad, etsad och polerad i förpackning av skumlåda eller kassett med kartong utanför.