Indium Arsenide InAs

Beskrivning

Indiumarsenid InAs-kristall är en sammansatt halvledare av grupp III-V syntetiserad av minst 6N 7N rent indium- och arsenikelement och odlad enkristall med VGF eller Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) process, grå färg, kubiska kristaller med zinkblandad struktur , smältpunkt av 942°C.Indiumarsenidbandgap är en direkt övergång som är identisk med galliumarsenid, och den förbjudna bandbredden är 0,45eV (300K).InAs-kristall har hög enhetlighet av elektriska parametrar, konstant gitter, hög elektronmobilitet och låg defektdensitet.En cylindrisk InAs-kristall odlad av VGF eller LEC kan skivas och tillverkas till wafer som skuren, etsad, polerad eller epi-redo för MBE eller MOCVD epitaxiell tillväxt.

Ansökningar

Indiumarsenidkristallskiva är ett utmärkt substrat för att tillverka Hall-enheter och magnetfältssensorer för sin överlägsna hallrörlighet men smala energibandgap, ett idealiskt material för konstruktion av infraröda detektorer med våglängdsintervallet 1–3,8 µm som används i applikationer med högre effekt. vid rumstemperatur, såväl som infraröda supergitterlasrar med medelvåglängd, tillverkning av mellaninfraröda LED-enheter för dess 2-14 μm våglängdsområde.Dessutom är InAs ett idealiskt substrat för att ytterligare stödja den heterogena InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb eller AlGaSb supergitterstrukturen etc.

Fråga nu

Detaljer

Taggar

Teknisk specifikation

Indiumarsenid

InAs

Indium Arsenide Crystal Waferär ett utmärkt substrat för att göra Hall-enheter och magnetfältssensorer för sin överlägsna hallmobilitet men smala energibandgap, ett idealiskt material för konstruktion av infraröda detektorer med våglängdsintervallet 1–3,8 µm som används i applikationer med högre effekt vid rumstemperatur, såväl som infraröda supergitterlasrar med medelvåglängd, tillverkning av mellaninfraröda LED-enheter för dess 2-14 μm våglängdsområde.Dessutom är InAs ett idealiskt substrat för att ytterligare stödja den heterogena InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb eller AlGaSb supergitterstrukturen etc.

Nej.	Föremål	Standardspecifikation
1	Storlek	2"	3"	4"
2	Diameter mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Tillväxtmetod	LEC	LEC	LEC
4	Ledningsförmåga	P-typ/Zn-dopad, N-typ/S-dopad, odopad
5	Orientering	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Tjocklek μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientering Platt mm	16±2	22±2	32±2
8	Identifiering Platt mm	8±1	11±1	18±1
9	Rörlighet cm2/Vs	60-300, ≥2000 eller efter behov
10	Bärare Koncentration cm-3	(3-80)E17 eller ≤5E16
11	TTV μm max	10	10	10
12	Båge μm max	10	10	10
13	Varp μm max	15	15	15
14	Dislokation Densitet cm-2 max	1000	2000	5 000
15	Ytfinish	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Förpackning	Enkel waferbehållare förseglad i aluminiumpåse.

Linjär formel	InAs
Molekylvikt	189,74
Kristallstruktur	Zinkblandning
Utseende	Grått kristallint fast ämne
Smältpunkt	(936-942)°C
Kokpunkt	N/A
Densitet vid 300K	5,67 g/cm³
Energigap	0,354 eV
Inre resistivitet	0,16 Ω-cm
CAS-nummer	1303-11-3
EG-nummer	215-115-3

Indium Arsenide InAspå Western Minmetals (SC) Corporation kan levereras som polykristallina klumpar eller enkristaller som skurna, etsade, polerade eller epi-färdiga wafers i storlekarna 2" 3" och 4" (50 mm, 75 mm, 100 mm) diameter, och p-typ, n-typ eller odopad konduktivitet och <111> eller <100> orientering.Den skräddarsydda specifikationen är för den perfekta lösningen för våra kunder över hela världen.